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江风益:需解决硅LED芯片几大关键技术

从现有水平看,硅半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术,包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

  https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00

半导体制冷,大功LED散热最火解决方案

目前,大功LED散热问题严重制约着其发展,本文以单片机at89c51为控制核心,将半导体制冷技术引入到LED散热研究中,采用pid算法和pwm调制技术实现对半导体制冷片的输入电

  https://www.alighting.cn/2014/5/5 10:50:13

蓝宝石的超光滑表面加工进展

回顾了(0001)面蓝宝石LED的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00

cree大功LED光效突破200lm/w

大功LED制造商cree公司宣布,实验室的最新研发成果显示,其大功白光LED的光效可达208lm/w。在两个月前,cree公司的研发成果为186lm/w。cree的测试结果表

  https://www.alighting.cn/news/20100205/103283.htm2010/2/5 0:00:00

详解:国内外大功LED散热封装技术的研究及发展

提高大功的散热能力,是LED器件封装和器件应用预设要解决的焦点,下文详细分析了国内外大功LED散热封装技术的研究近况;总结了其发展趋势,并指出了削减内部热沉多是此后的发展方向。

  https://www.alighting.cn/resource/20110415/127740.htm2011/4/15 16:03:08

牺牲ni退火对硅gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅发光二极管(LED)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

户外LED——2018神奖申报技术

户外LED,为广州市巨宏光电有限公司2018神奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20171205/154199.htm2017/12/5 11:21:11

大功LED频闪光源驱动解析

对于高速运动的物体,我们无法清楚地观察其中间的运动过程(如在物理实验中的自由落体、平抛和小车的快速水平运动等等) 。为了解物体运动的整个过程,通常需要高频的频闪闪光作光源。

  https://www.alighting.cn/resource/20110729/127374.htm2011/7/29 9:42:20

国产大功LED芯片的封装性能

技术发展迅猛、市场规模日益扩大、水平高低不一,总体实力与国际先进水平相比还存在较大差距,是当前我国大功LED产业现状的真实写照。国产大功LED芯片的封装性能也不例外,本文将

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/17549_58.htm2011/7/21 17:54:09

新型大功LED及替代效益分析

本文就新型大功LED的一般特点作了阐述,着重就其替代常规的高压钠所带来的经济及社会效益进行了较为详细地分析,可供在路的选用上参考和借鉴。欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/6/134714_81.htm2013/9/6 13:47:14

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