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sdk研究led晶体生长新工艺:混合ppd工艺有望突破亮度极限

为了满足日益增长的市场需求,昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)及其他氮化物优质复合半导体的新工艺,主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。

  https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00

什么是ti?

thd就是用电器源电流谐波含量占波电流含量百分比的英文缩写表示。一般指的是以2次~39次谐波总量与波电流的百分比

  https://www.alighting.cn/news/200728/V8795.htm2007/2/8 13:18:33

硅衬底led芯片主要制造工艺

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上ganled专利技术,美国cree公司垄断了sic衬底上ganled专利技术。因此,研发其他衬底上的ganled生产技术成为国际上的一个热

  https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00

植物光生理与led在植物照明优势

本文由植物光生理的角度切入,针对人工光源部分,探讨led在植照应用的利

  https://www.alighting.cn/news/20170828/152449.htm2017/8/28 17:40:17

分析:国内半导体照明现状及投资机会

底的gan芯片制备;gan、lialo2、ZnO、aln等新型衬底的外延和芯片技术;功率型gan芯片制造;高效率大功率led封装技术;100lm/w以上功率led封装用有机硅材料;10

  http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00

分析:国内半导体照明现状及投资机会

底的gan芯片制备;gan、lialo2、ZnO、aln等新型衬底的外延和芯片技术;功率型gan芯片制造;高效率大功率led封装技术;100lm/w以上功率led封装用有机硅材

  http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00

分析:国内半导体照明现状及投资机会

底的gan芯片制备;gan、lialo2、ZnO、aln等新型衬底的外延和芯片技术;功率型gan芯片制造;高效率大功率led封装技术;100lm/w以上功率led封装用有机硅材

  http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00

三种led衬底材料的比较

料。这三种衬底材料的综合性能比较可参见表1。除了以上三种常用的衬底材料之外,还有gaas、aln、ZnO等材料也可作为衬底,通常根据设计的需要选择使用。衬底材料的评价  1.衬底与外

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00

德国成功使硅纳米晶体led发光

纳米级硅晶体具有发光潜能,德国kit和多伦多大学的科学家成功地采用这些晶体生产出硅led(sileds)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121868.htm2013/3/6 16:16:32

[产品推荐] led专用超薄型整流桥

y bridge(肖特)等三大特

  https://www.alighting.cn/pingce/20101217/123128.htm2010/12/17 14:17:02

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