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≥1000Mω 2、直流击窜电压：190～260 3、冲击击穿电压：≤800（在1kv／as上升率时） 4、耐脉冲电流：100a（10／1000us 300tiMes） 5、耐脉
http://blog.alighting.cn/bjdjspd4/archive/2009/5/15/3420.html2009/5/15 10:52:00
建筑师：atelier Zündel &aMp; cristea 地点：法国布吕马特 客户：eps alsace nord 项目面积：1,230 sqM 项目年
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/11/14/252865.html2011/11/14 17:04:34
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/11/15/253295.html2011/11/15 17:37:10
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263045.html2012/1/29 23:31:29
http://blog.alighting.cn/112256/archive/2012/2/20/264421.html2012/2/20 19:06:05
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268104.html2012/3/15 21:17:17
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271408.html2012/4/10 21:42:12
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275028.html2012/5/20 20:20:47
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279454.html2012/6/20 23:05:30
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μM无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
