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led的封装有很多的步骤，下文将具体介绍各个步骤。 一、生产工艺 1.生产： A) 清洗：采用超声波清洗pcb或led支架，并烘干。 b) 装架：在led管芯（大圆片）底部电
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222023.html2011/6/19 22:43:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型gAn上淀积厚度大于500A的niAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222068.html2011/6/19 23:05:00
单nimh，nicd或AlkAline电池兼容.主要为特征为：具有94%的效率,启动电流很低与可编程输出电流;可为串联或并联led配置，有低饱和电流开关管;主关机电流为4μA,典
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222090.html2011/6/19 23:17:00
n上淀积厚度大于500A的niAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，p型欧
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
新进行研磨和rcA清洗。腐蚀A/b：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、nox和废混
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
容---c3225x5r1c226k一一-1210 226k 16vtdk电容—-c3225x5r1A476m---1210-476m-10vtdk电容---c4532x7r2
http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227856.html2011/6/27 11:05:00
入电流≦16A）》 en61000-3-3 《输入电流≦16A的低压供电系统电压波动和闪烁》 en50091-2 《ups的emc限制》 fcc pArt 15 《射频设备的无线电干
http://blog.alighting.cn/coninliu/archive/2011/6/27/227904.html2011/6/27 17:15:00
价的投标报价除外）的算术平均值为A；当投标报价低于招标控制价的投标人为7家或7家以上时，去掉其中的一个最高投标报价和一个最低投标报价后（评标委员会认定明显低于成本价的投标报价除外）
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/6/28/227909.html2011/6/28 9:43:00
1：基于安森美半导体ncp1015的1至8w隔离型(A)及非隔离型(b) led照明方案。 上述基于ncp1015的隔离型及非隔离型方案均不含pfc,但安森美半导体也提供含pf
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229882.html2011/7/17 22:54:00
