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凌力尔特推出作3通道恒定电流led驱动器

凌力尔特公司推出2mhz dc/dc转换器lt3496,设计该器件以用作3通道恒定电流led驱动器。lt3496的每个通道都可以驱动多达8个串联的500ma led,因此该器件

  https://www.alighting.cn/news/20070530/120732.htm2007/5/30 0:00:00

udc白光oled性能创新高

2007年5月23日,美国环宇显示技术公司(udc)在sid 2007上以标题为“有效率的白色磷光oled器件”向人们展示了其woled?白色磷光oled技术新成果。

  https://www.alighting.cn/resource/20070530/128505.htm2007/5/30 0:00:00

凌力尔特推出3通道恒流led驱动器lt3496

半导体厂凌力尔特(linear technology)公司,日前推出一款2mhz dc/dc转换器lt3496,该器件用作3通道恒定电流led驱动器,具备强大功能。

  https://www.alighting.cn/news/20070529/106386.htm2007/5/29 0:00:00

台湾光鋐再订两台thomas swan ccs mocvd生产GaN led

2007年5月24日,台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单,用于量产高亮(hb)ga

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52

飞兆半导体推出新绿色系列

换效率1%,并降低emi的量可达5db。这些高度集成的fps器件结合了完全达到额定雪崩值sensefet、电流模式脉冲宽度调制(pwm)ic和多种保护功能,有助于简化设计及提高系统可

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V8009.htm2007/5/28 15:39:51

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

GaN、aln、inn及其合金等材,是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素,寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

GaN、aln、inn及其合金等材,是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素,寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综

  https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

光鋐再订两台ccs mocvd生产GaN led

2007年5月24日,台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单,用于量产高亮(hb)ga

  https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

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