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、全色化不断发展创新,红、橙led光效已达到100im/w,绿led为501m/w,单只led的光通量也达到数十im。led芯片和封装不再沿龚传统的设计理念与制造生产模式,在增加芯
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
阻。 pwm调光则通过一个几百赫芝的pwm信号加在pwm_d端来实现。pwm信号的高电平时间长度正比于led灯亮度,在该模式下,led电流可以为0或设定值之一。通过pwm调节方式可以在
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00
i的linkswitch-tn lnk306dn集成功率转换ic中含有一个完全集成的700 v功率mosfet,因而无需外部电源器件。离线式非隔离降压拓扑结构可以在连续导通模式下以66 kh
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133848.html2011/2/19 23:29:00
位a/d转换芯片,要用单片机初始化此芯片的内部寄存器,以串行的方式写入预定的工作模式,编写结束后ad9884开始工作。 要用好一种新的器件,必须首先把器件的工作原理、性能指标、极
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133857.html2011/2/19 23:32:00
片和封装不再沿龚传统的设计理念与制造生产模式,在增加芯片的光输出方面,研发不仅仅限于改变材料内杂质数量,晶格缺陷和位错来提高内部效率,同时,如何改善管芯及封装内部结构,增强led内部产
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
y mode的开始;exit按钮为退出应用程序。左面的组合框包括4个radiobutton,对应4个led的亮或灭;右面的组合框包括6个radiobutton(对应不同的闪烁模式和闪
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133874.html2011/2/19 23:36:00
与制造生产模式,在增加芯片的光输出方面,研发不仅仅限于改变材料内杂质数量,晶格缺陷和位错来提高内部效率,同时,如何改善管芯及封装内部结构,增强led内部产生光子出射的几率,提高光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
关(开关模式法) 图2c显示了这一概念。如图3所示,通过允许电感器l上的电流在开关导通时上升,在开关断开时下降,我们可以调节流经led的电流。同任何感性负载一样,当开关断开时,我
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
部的开关管被击穿而损坏。所以,没有内置开路保护电路的芯片会要求外部增加一个齐纳二极管,利用它的击穿来保护内部的开关管。保护电路如图2所示。 图4:混合模式控制原理图。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00
出,并且为变换器提供回路稳定性。变换器被设计成能够在连续传导模式下进行工作,这意味着电感器电流在新的电流周期开始之前不会降为零。电感器平均电流il与平均的负载电流io几乎相等。外部上
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