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密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (ingan) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(ingan)激光器所保持的50
https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23
伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(gan)上整合led和功率电晶体。研
https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24
南韩led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发“氮化镓”(gallium nitride、gan)基板，封测
https://www.alighting.cn/news/20141020/n807366498.htm2014/10/20 9:39:39
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、gan)衬底，封测
https://www.alighting.cn/news/20141021/n168566551.htm2014/10/21 9:55:55
用氮化镓(gan)制造的蓝光led成
https://www.alighting.cn/news/20141015/n162266402.htm2014/10/15 9:44:13
veeco公司(veeco)今日宣布，韩国的led –it 融合技术研发中心(liftrc)近日选择了turbodisc? k465i?氮化镓金属有机化学气相沉积系统(mocv
https://www.alighting.cn/news/2012416/n168738871.htm2012/4/16 9:17:37
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的gan(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长gan单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
