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石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
确的散热分析，仿真温度误差在4℃左右，仿真结果对led 灯具开发设计具有重要参考价
https://www.alighting.cn/2013/10/18 14:25:07
https://www.alighting.cn/2013/10/18 14:15:15
铜的导热系数高达260-340千卡/平方米·小时·℃ 虽说铜的比热要比铝小，但注意：铜的密度是铝的3倍多！ 经过计算，同样的体积的铜每上升1度，吸收的热量要比铝多40%。 铜的导
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/1/27/26131.html2010/1/27 11:19:00
利用pld方法沉积了si基zno薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，zno薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
抹在加热约90~110℃的圆盘上，再将芯片正面置放贴附于圆盘，经过加压、冷却后，芯片则确实固定于盘面，完成上腊的动
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
在极短的瞬间(纳秒级)对led芯片的两个电极之间进行放电，瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方，往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温，温度高达1400
https://www.alighting.cn/2012/3/22 12:56:19
出电流：300ma±3%@ 转换效率：≧85%@ 光通量：180-200lm@ 寿命：50,000小时@ 温升（室温25℃）：≤50℃@ 适应环境温度：-25℃~60℃@ 适应湿
http://blog.alighting.cn/JIELIS1988/archive/2010/3/27/38790.html2010/3/27 15:35:00
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
高温熔体压力传感器，熔体压力变送器pt124经济型高温熔体压力传感器/变送器的特性与应用:刚性杆和软管隔离,膜片隔离结构,介质温度在450℃以下,具有良好的稳定性和精度;应用于橡
http://blog.alighting.cn/hdsensor/archive/2010/4/22/41223.html2010/4/22 17:11:00
