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管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（gan）和铟氮化镓（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
底过渡方法。在蓝宝石衬底除去后的pn结的制造商，在蓝宝石衬底上生长InGaN芯片，然后再连接的传统的四元材料，制造大型结构的蓝色led芯片的下部电极上，通过常规的方法。
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
流指标可以看出：对于gaasp二极管，vf可以上升到2.7v（+40%）；对于InGaN二极管，vf可以上程式到4.2v（+20%）。如果系统中需要多个led，如蜂窝电话背板显示器采
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/9/25/9117.html2008/9/25 14:40:00
成发光中心,实现了1cd的亮度,并最终投产。信号灯等应用产品也相继开始出现。 1992年4月,从美国学会讲演归来的中村为了开发出双异质结构,埋头研究InGaN膜的生成(表1)。如果
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40244.html2010/4/14 22:56:00
a的背光以及汽车仪表的照明。 2 白色led的发光机理及特性 2．1 发光机理 单芯片白色led是一种含InGaN活性层的can发光二极管，它主要有两种发光机理：一种是结
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
料和器件工艺技术研究的前沿课题。 超高亮度(uhb)是指发光强度达到或超过100mcd的led，又称坎德拉(cd)级led。高亮度a1gainp和InGaN led的研制进展十
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
p和InGaN led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasp、gap不可能达到的性能水平。 1991年日本东芝公司和美国hp公司研制成ingaa1p 62
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179890.html2011/5/20 0:39:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179900.html2011/5/20 0:43:00
些公司拥有原创性的专利，领导led技术发展潮流并占有主流市场。 nichia 由于在InGaN 的led技术和生产白光led的荧光粉材料上拥有多项专利，在InGaN白色led芯
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
