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ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电极制备技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
低，导致串联电阻增大。使用si衬底的另一不利之处是，硅吸收可见光会降低led的外量子效率。尽管如此自1998年以来在硅上氮化镓led方面已经取得了不少令人兴奋的结果。 二、缓冲
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
使用光子晶晶体技术可以提高发光二极管的出光效率。本论文将从两种结构来验证光子晶体技术可以提高芯片的 外部量子效率。一是倒装芯片结构的使用，即将两个发光面制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
延材料、器件设计、管芯工艺到封装和应用设计的各个方面。其中主要包括衬底材料、大失配外延低温缓冲层、p型gan的掺杂及退火激活技术、高质量InGaN材料的生长及控制技术、p
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
本文简单的介绍了量子阱（quantum well）的定义和简要的描述，希望能够给初学者借鉴。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散发到周围环境中
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
致串联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
