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面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
d光源、ac/dc电源转换、led驱动控制、组件散热和光学处理等关键面向。 薄膜芯片封装技术 发展照明应用的重点 led的光源应用，其关键就在芯片技术的核心发展，而影响led组
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
国osram(欧司朗)在薄膜芯片和荧光粉方面具有优势。但是，中国作为世界led第一大制造国，目前却没有一条完整的led照明生产线。贾强遗憾地告诉笔者，“现在，中国企业只是产业链上的一个低
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229814.html2011/7/17 20:57:00
车、电动机车及电动车之动力来源。藉由纳米级电池材料及制程技术的创新开发，所发展之薄膜锂电池，将有机会应用于新世代的产品上面，包括ic卡，mems，锂离子电池，生医元件所需之薄膜锂电
http://blog.alighting.cn/kuaileshenghuo/archive/2011/7/14/229690.html2011/7/14 16:15:00
导，并由madhubhaskara,sharathsriram和simonruffell协助的团队，展示了如何运用机械性压力让压电性薄膜能够产生电力，以运用于广泛使用的便携式电子产品上
http://blog.alighting.cn/kuaileshenghuo/archive/2011/7/11/229440.html2011/7/11 16:47:00
率的影响因素很多，应该针对特殊的使用环境，综合考虑电费、系统成本、可以承受的购买力等诸多因素。 veeco公司mocvd市场总监李加博士的演讲题目为“透过薄膜沉积技术的进步降低le
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229310.html2011/7/8 10:54:00
行了调整，将使其在5年到10年内实现商用。这种太阳能电池以可循环使用的塑料薄膜为原料，能通过“卷对卷印刷”技术大规模生产，其成本低廉、环保，可大规模应用。有专家认为，或将对传统晶硅
http://blog.alighting.cn/locorn/archive/2011/7/7/228961.html2011/7/7 17:02:00
板 break-away planel 电缆 cable 挠性扁平电缆 flexible flat cable (ffc) 薄膜开关 membrane switch 混合电路 hybri
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228856.html2011/7/6 17:56:00
