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m的硅片管芯上，要长时间通过300-1000ma的电流，必然有功耗，必然会发热，芯片本身的物理散热结构也是至关重要的。 5. 驱动芯片本身的抗EMI、噪音、耐高压的能力也关系到整
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120761.html2010/12/14 14:47:00
户的设计提供了一定的灵活性。但是，由于电路中采用了电感，与上述方案相比尺寸较大、成本较高、EMI辐射也较
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134145.html2011/2/20 23:06:00
机天线一般位于手机上端，与手机的射频电路靠得很近，所以有效防止驱动电路电感的EMI干扰也是很重要的问题。 电荷泵采用电容作储能元件，电荷泵不需要外接电感，因此不存在电磁干扰的问
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134157.html2011/2/20 23:10:00
配所导致的共模噪声增加和电磁干扰(EMI)。值得注意的是，在走线时，差分线的长度应该保持一致，且差分线应彼此尽量靠近以减少反射，并应尽量减少信号路径中的过孔数量与阻抗的不均匀，此
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134160.html2011/2/20 23:12:00
然会发热，芯片本身的物理散热结构也是至关重要的。 2. 驱动芯片本身的抗EMI、噪音、耐高压的能力也关系到整个led灯具产品能否顺利通过ce、ul等认证，因此驱动芯片本
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/4/12/165043.html2011/4/12 16:34:00
个类似4x4mm的硅片管芯上，要长时间通过300-1000ma的电流，必然有功耗，必然会发热，芯片本身的物理散热结构也是至关重要的。 5、驱动芯片本身的抗EMI、噪音、耐高压的能
http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166038.html2011/4/18 22:58:00
有相关的设计参数包括输入电压范围、驱动的led数量、led电流、隔离、EMI抑制以及效率。大多数的led驱动电路都属于下列拓扑类型：降压型、升压型、降压-升压型、sepic和反激式拓
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222088.html2011/6/19 23:16:00
率。所有相关的设计参数包括输入电压范围、驱动的led数量、led电流、隔离、EMI抑制以及效率。大多数的led驱动电路都属于下列拓扑类型：降压型、升压型、降压-升压型、sepic和反
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229885.html2011/7/17 22:55:00
是，由于电路中采用了电感，与上述方案相比尺寸较大、成本较高、EMI辐射也较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230473.html2011/7/20 23:07:00
路靠得很近，所以有效防止驱动电路电感的EMI干扰也是很重要的问题。电荷泵采用电容作储能元件，电荷泵不需要外接电感，因此不存在电磁干扰的问题。此外，整个解决方案所占pcb的面积也较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230489.html2011/7/20 23:15:00
