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」，并委托日亚化学与丰田合成进行技术开发，该计划小组将近紫外led的外部量子效率(以下简称为取光效率)目标定为40%，当时蓝光led的取光效率为15%，紫外led的取光效率祇有7.5
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示。图1中,微处理器是atMel公司生产的at91M42800a，它采用基于arM7tdMi内核的高性能32位risc架构的处理器,有着丰富的外围接口资源。at91M42800a有
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流=vsense/r1=34Mv/50M(=680Ma，这里r1就是rsense。ton=ipeakxl1/vl1在上述等式中，近似认为在整个电流上升与下降期间led正向压降不变。事
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长。发光区域在晶片制造工艺中确定，基底在器件上保持不变。安捷伦已经在一系列新的多通道和双向15 Mbd数字逻辑门光学耦合器中采用堆叠式led结构。该系列分成紧凑的8针 (双通道为4.
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大的差距，同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年，但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器，像素密度达到5-6个／MM2。表
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图6给出了换热系数对系统性能的影响规律。从图中可以看出，换热系数越高，系统的性能越好，而且随着光强的升高，换热系数的影响越来越显著。空气自然对流换热系数的最高值为10w/(M2·
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路，例如，以太网和fddi标准指定采用多模62.5／125μM石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗，对于工业应用，需要低成本的光缆和连接器。因此，1M
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度的选择和装饰性外罩 为了美观，许多的太阳能灯具的工厂将太阳能电池水平放置，在这种情况下，太阳能电池的输出功率将减少15%~20%，如果再在太阳能电池上面增加一个装饰性外罩，太阳能电
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积，也就是说，将目前面积为1M㎡的小型芯片，将发光面积提高到10M㎡的以上，藉此增加发光量，或把几个小型芯片一起封装在同一个模块下。虽然，将led芯片的面积予以大型化，藉此能够获得
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及2个nMos管s4、s6组成，如图4所示。以p管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μM／0.6μM。假设s1的
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