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led大功率投光灯、泛光灯

1、光源为1w或3w大功率灯珠,光谱纯正,有红、黄、蓝、绿、白、暖白、全彩多种颜, 2、半导体光源,不发热无紫外线; 3、全精致压铸铝灯壳,结构牢固,不易碎裂; 4、应用广

  http://blog.alighting.cn/hsdled/archive/2009/12/30/22917.html2009/12/30 15:09:00

刻蚀深度对si衬底gan基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

对led灯具可靠性检测工作的思考

些led灯具实际可靠性结构和微观物理机制已经发生变化,但是光通量和色坐标并没有明显变化,如果配以其他可靠性指标的测试可以提高可靠性检测结果的可信

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 10:21:04

聚芳醚砜pes板棒

聚芳醚砜pes板棒由于聚醚砜分子结构中不存在任何酯类结构的单元,聚醚砜具有出色的热性能和氧化稳定性。经ul确认聚醚砜连续使用温度为180℃,并满足ul94v-0级阻燃要求。聚醚砜

  http://blog.alighting.cn/stqxcl/archive/2010/1/22/25855.html2010/1/22 21:57:00

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

白光led用荧光材料 sr3b2o6∶eu3+ ,na+ 的制备及发光性能

后,基质的晶格结构未发生变化;稀土eu3+掺杂摩尔分数为6%,煅烧时间为3 h时最佳;作为电荷补偿剂的na+的引入,较大地提高了荧光粉发光强度。该荧光粉可被394 nm近紫外光激

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:33:42

实现led照明的自由曲面透镜设计

量分布,并预先定义透镜球面的结构参量,可得到一组一阶偏微分方程,数值差分求解直接求得透镜的自由曲面.光源采用发光面积1×1mm2朗伯体发光的led,视角180°,由自由曲面透镜得

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:32:59

oled发光效率出现井喷式突破!

司的研究人员提出,可以通过改变oled内部材料的表面结构,来达到提高oled发光效率的目的。oled通常采用一层非常薄的有机材料涂层加玻璃基板制作而成,有机材料涂层上方有一层金属电

  http://blog.alighting.cn/www_598light_com/archive/2010/3/3/34787.html2010/3/3 18:59:00

gan/aln半导体异质结带阶超原胞法计算

为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62ev,

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00

防水防冻加热带

能可靠:每条电加热带出厂时,无经过严格的直流电阻、浸水高压和绝缘电阻等测试,确保质量。 结构合理,便于安装。 可设计性强:电加热带的加热长度、引线长度、额定电压、功率由用户确

  http://blog.alighting.cn/farepian/archive/2010/4/7/39577.html2010/4/7 20:32:00

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