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功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封装形

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封装形式,将

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封装形式,将

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

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