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对“用于GaN的生产型mocvd”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型GaNmocvd设备控制系统的特点;分析了mocvd设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
littelfuse公司宣布推出该公司的pled led开路保护器件系列的最新产品。 pledxsw系列led保护器与littelfuse之前推出的黑色模制主体的pled器件不
https://www.alighting.cn/pingce/20130802/121750.htm2013/8/2 10:42:10
赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
台湾知名led厂商亿光电子自1980年代创业以来，一直在扩充产品阵容并稳步扩大销售额。最近，该公司不仅提供单个器件，还致力于拓展以led为核心的模块业务。就该公司今后的发展以及针
https://www.alighting.cn/news/20111229/85618.htm2011/12/29 11:48:28
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/li
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
粉器件势在必行。真明丽封装研发中心日前研发出远程荧光粉器件制造方法，将制成的远程荧光粉器件用于led照明领域，将大大提高led灯具的可靠
https://www.alighting.cn/2012/9/17 20:40:28
第七轮发布器件数据由国家半导体器件质量监督检验中心(中电科第十三所)测试提供，数据包括350ma条件下白光、绿光led测试结果，400ma下集成光源测试结果，120ma下563
https://www.alighting.cn/news/20110421/100989.htm2011/4/21 9:49:03
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
