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cree 132lm/w led第三季度将上市

cree宣布,公司将推出“业界最亮且具有最高效率的照明级led”——xlamp xp-g led。冷白光xlamp xp-g led在驱动电流为350ma时,光通量可达139l

  https://www.alighting.cn/news/20090505/119037.htm2009/5/5 0:00:00

osd推出5.6英寸led背光源的tft显示屏

osd公司推出5.6英寸采用led背光源的tft显示屏osd056tN53v.1,分辨率为640×480,对比度为500:1,视角度数为70/70/50/70,亮度为35

  https://www.alighting.cn/news/20080226/119428.htm2008/2/26 0:00:00

松下开发出gaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(paNasoNic)宣布开发出使用gaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

欧司朗光电发布小型投影仪用led新产品

下的输入电流最大为6a,光通量方面,红色产品为350lm(120hz,2ms,+25℃),绿色产品为600lm(同上),蓝色产品为165lm(同

  https://www.alighting.cn/news/20100621/119752.htm2010/6/21 0:00:00

欧司朗面向投影仪光源等产品,开发出发光效率约提高30%的高功率红色led

德国欧司朗光电半导体宣布,目前开发出了驱动电流为350ma时发光效率高达119lm/w的红色led。该产品采用了该公司高功率红色led芯片“thiNfilm”中的技术,发光效率

  https://www.alighting.cn/news/20100727/120075.htm2010/7/27 0:00:00

ap techNologies 成为fox group的分销商

p全部的led产品,其中包括350Nm及360Nm紫外gaN le

  https://www.alighting.cn/news/20070606/120127.htm2007/6/6 0:00:00

晶能光电成功研制硅衬底高功率iNgaN led

据了解,晶能光电长期致力于研制gaN-oN-si mocvd生长技术,该公司总部坐落于江西南昌,本次演示的是一款冷白光led,在350ma电流下光输出超过100流明,采用1x1m

  https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00

lg iNNotek面向全球市场推出多款照明级led

lg iNNotek推出的专业针对led照明类smd贴片产品,功率有0.2w/0.3w/0.5w/1w。以3535型号产品为例,在350ma的驱动电流下,可提供高达105 lm/

  https://www.alighting.cn/news/20100817/120700.htm2010/8/17 0:00:00

亿光电子推出超微型high power flash led

亿光电子(everlight electroNic)推出2.04×1.64mm high power flash led──ehp-c04。其操作电流可从350ma至1a电流脉

  https://www.alighting.cn/news/20070903/121200.htm2007/9/3 0:00:00

从哥本哈根到铭家开启2010年中国led商业照明元年

美国能源部预测,到2010 年前后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体替代,每年可节电350 亿美元;日本、欧洲等世界各国相继禁止使用白炽灯泡,而led照明是其最佳替代品。

  https://www.alighting.cn/news/20100105/121350.htm2010/1/5 0:00:00

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