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将led元件覆晶于高散热复合基板上，增加发光效率，并增加散热效
https://www.alighting.cn/news/20100301/106395.htm2010/3/1 0:00:00
日本产业技术综合研究所开发出了最大输出功率0.3mw的金刚石led，并在“nano tech 2010（国际纳米科技综合展，2月17日～19日）”上展出。金刚石led的特点是在深紫
https://www.alighting.cn/news/20100301/119825.htm2010/3/1 0:00:00
下，上述晶膜的生成在台湾晶电厂区连续进
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
2009年10月19日，鼎元决议以增资换股方式合并晶发光电，原订2010年3月31日为合并基准日，但因送件审查资料需要年报，目前申请核准程序尚在进行中，来不及于3月31日进行合
https://www.alighting.cn/news/20100301/120096.htm2010/3/1 0:00:00
业与nichia等企业之间相互授权的可能性逐步加强。 目前，nichia面临的主要技术威胁主要来自我国台湾。如：台湾晶电公司的ito技术可在芯片制造工艺上？做太大调整，而在？产成
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34524.html2010/2/27 15:45:00
性道路照明应用。 由于台湾地区的led路灯照照明标准(cns15233)是在2008下半年才正式通过的，因此当前厂商所公布的led规格数据大多为台湾工研院(itri)所量测的初始
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34521.html2010/2/27 15:41:00
年全球led产业潜在需求在2297亿颗左右，两大mocvd（有机金属化学气相沉积法）设备厂年设备供给仅为180台，对应年产能为580亿颗，远远满足不了需求。 晶电董事长李秉杰表
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34513.html2010/2/27 15:06:00
度大。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。led发光顏色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占led制造成本70%左右，对led产业极为重要。 上游是由磊芯片形成，这种磊芯片长相大
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34482.html2010/2/27 14:29:00
合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.3、导电的si 衬底取代gaas 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34474.html2010/2/27 14:03:00
由美国semileds(旭明光电)与中国大陆厂商国星光电等6家企业共同投资组建的led芯片生产项目--旭瑞光电，2月26日在广东佛山市南海区奠基。旭瑞光电未来将专业生产高功率、高亮
https://www.alighting.cn/news/20100226/116198.htm2010/2/26 0:00:00
