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inn材料的电学特性

难。一是inn材料的离解温度较低,在600 ℃左右就分解了,这就要求在低温生长下inn ,而作为氮的nh3的分解温度较高,要求1000℃左右,这是inn生长的一对矛盾,因此采用一

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外延生长技术概述

换很快,可以得到陡峭的界面。外延发生在加热的衬底的表面上,通过监控衬底的温度可以控制反应过程。在一定条件下,外延层的生长速度与金属有机的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现

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led的外延片生长技术

出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光。美国boston大学光子研究中心用同样的方法在蓝光gan-led上叠放一层alingap半 导体复合物,也生成了白

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半导体照明灯具系统设计概述

1)灯具系统的热量管理一般常称led为冷光,这是因为led发光原理是电子经过复合直接发出光子,而不需要热的过程。但由于焦耳热的存在,led在发光的同时也有热量伴随,而且对于大功

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led背光与无彩色滤光片技术

及蓝色)滤光片调变,以得到各子像素所需的各原色光强度,最后再依靠视觉系统的作用,将各子像素的原色混合成该像素所欲表现的颜色。这样必须使用白色背模块,如冷阴极荧光灯管(col

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led背光与无彩色滤光片技术

及蓝色)滤光片调变,以得到各子像素所需的各原色光强度,最后再依靠视觉系统的作用,将各子像素的原色混合成该像素所欲表现的颜色。这样必须使用白色背模块,如冷阴极荧光灯管(col

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设

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gan外延片的主要生长方法

一定条件下,外延层的生长速度与金属有机的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现状:mocvd 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成

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led与太阳能结合的照明技术

体发光二极管(led)也是一种环保、节能、高效的固态电光。在过去的一百多年中,照明光经历了三个重要的阶段:白炽灯,荧光灯,hid灯。其中白炽灯是第一代光,荧光灯是第二代光

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我国半导体照明应用现状

器,真正实现新能与新光的结合。太阳能半导体照明草坪灯、庭院灯、信号指示灯等已开始在国内的小区、园林建设、农村地区道路照明中使用,目前中国已占领全球太阳能半导体照明产品80%以上市常

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