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个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127028.html2011/1/12 16:37:00
灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(ingan)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
六、led制造装备（封装设备）发展现状分析a)上、中游的外延生产及芯片制造设备行业： 全球有近200家公司和300多所大学以及研究机构从事氮化镓基led的材料生长、器件制作工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143104.html2011/3/16 21:36:00
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
宜的陶瓷（如氧化铝陶瓷），也可以采用导热性强但价格十分昂贵的陶瓷（如氮化铝陶瓷）。总而言之，陶瓷基板的成本高于mcpcb和增强散热型印刷电路板基板。为替代上述基板，led厂商正在测
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/8/177210.html2011/5/8 15:58:00
0年的1200亿颗增长到1650亿颗，增长超过40%;而到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
要应用于科学分析设备以及研发用途。uvc led预计要在2014年以后才能全面进入水及空气净化市场。 uvc市场的增长与能够延长设备寿命的氮化铝（aln）块体基板的供应能力有很
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222026.html2011/6/19 22:45:00
到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力道，维持向上格局。imsresearch的预估，2011
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222070.html2011/6/19 23:06:00
光的acled，其次是美国iii-ntechnology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
