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[转载]哥本哈根会议热闹 led照明面临新机会

池厂商及上游原材料厂商也会进入受益序列,如南玻a、金晶科技等;幕墙方面则还有方大a、中航三鑫;节能材料方面以北新建材、烟台万华为代表,都值得投资者重点关注。   cdm项目:政

  http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248617.html2011/10/25 17:23:39

[转载]2010年照明行业发展趋势分析

运中心。据估算,仅铁路枢纽车站的装修市场份额将达到700亿元以上。中国建筑装饰协会材料委员会副秘书长张仲玲日前透露,“十一五”计划期间,建筑工程总产值年均增长幅度将超过15

  http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248615.html2011/10/25 17:23:32

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

si衬底上inp纳米线的晶体结构和光学性质

相似,纳米线面密度不同。利用x射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与inp体材料相比,纳米线的

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底GaN基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

照明设计流程和程序

业文化背景分析等等。 1、掌握建筑空间条件 对建筑进行拍照,详细记录建筑的特征。明确施工条件,了解建筑结构使用的材料、颜色和反射比等等。可能有时候委托方没有提供建筑尺寸图,那么设计

  http://blog.alighting.cn/chseven/archive/2011/10/25/248460.html2011/10/25 11:41:36

陶氏电子材料事业群宣布成立led技术业务部

除了已经广泛地应用于led制程中的主动式发光区的mocvd前驱物以外,新成立的led技术业务部门还将提供制造led蓝宝石基板和led芯片所特需的光刻胶、光刻处理所使用的相关配件材

  https://www.alighting.cn/news/20111025/114462.htm2011/10/25 9:47:55

陶氏电子材料事业群宣布成立led技术业务部

隶属于陶氏化学公司(nyse: dow)的陶氏电子材料事业群已经宣布成立一个新的led技术业务部门以应对在全球固态照明(ssl)市场现在以及未来对发光二极管(led)的需求。

  https://www.alighting.cn/news/20111025/n612235206.htm2011/10/25 9:00:55

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

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