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是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24
、w77%rb led驱动电路与电源等方面的研究，发表多篇学术论文，获得研究成果，如氮化镓基蓝、绿色led器件制备的关键技术研究，白色大尺寸led研究、新型半导体节能路灯、超高亮
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279358.html2012/6/20 14:54:44
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
5 的橙光led，gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而gan（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14
是芯片本身;二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/7/13/281811.html2012/7/13 17:52:10
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282642.html2012/7/19 11:12:04
http://blog.alighting.cn/131218/archive/2012/7/23/283142.html2012/7/23 22:26:43
制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝（aln）作缓冲。衬底材料导热系数w/(m·k)膨胀系数(x10e-
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
明产业的通用术语标准十分迫切。 统一和规范产业名词术语定义是半导体照明产业发展的需要。如果以市场上见到的氮化镓基蓝色发光器件的量产产品作为半导体照明产业起步的话，这一新兴产业在
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/11/6/296303.html2012/11/6 9:32:11
