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透视国内led照明产业发展质量

业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268354.html2012/3/15 21:57:07

透视国内led照明产业发展质量

业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271158.html2012/4/10 20:58:12

现led行业遇到的普遍问题

 在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面,国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段,而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271424.html2012/4/10 21:43:20

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

中国led产业现状分析与反思

入国家中长期科技发展规划与“十一五”国家“863”高新技术产业化重大项目并给予大力支持。然而,我国目前led产品开发应用领域依然存在不足。我国自产的led芯片,外延片产量仍有限,与国

  http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272309.html2012/4/17 17:10:30

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

现led行业遇到的普遍问题

 在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面,国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段,而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

  http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275044.html2012/5/20 20:21:43

现led行业遇到的普遍问题

 在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面,国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段,而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

  http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279483.html2012/6/20 23:06:16

透视国内led照明产业发展质量

业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279512.html2012/6/20 23:06:56

政策利好而订单下滑 led照明产业面临洗牌

灯的上游产业,也就是led灯条的外延片生产、芯片制造、配套设备制造,也只有这样,企业才能在led产业中占有一席之地。”“目前欧美还是我国led灯条具的主要市场,从去年下半年以来,国

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2012/8/1/283841.html2012/8/1 11:03:35

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