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广东聚科携手台湾晶发打造大功率led新标准

日前,广东聚科照明股份有限公司与台湾晶发光有限公司在广东省江门市签订合作协议,双方在led封装技术等多个项目达成合作协议,并着力打造大功率led稳定新标准。

  https://www.alighting.cn/news/20110816/115080.htm2011/8/16 11:14:56

[转载]富能照明——led路灯技术

到了25000 小时。而金属卤化物灯的寿命在6000~12000 小时,高压钠灯的寿命是12000 小时。 二,led 的基本结构是一块发光的半导体材料,放置在一个有引线的架

  http://blog.alighting.cn/p7788c/archive/2011/5/12/178260.html2011/5/12 13:54:00

led和节能灯各有所爱

led灯是英文lightemitting diode (发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯

  http://blog.alighting.cn/sunnysky/archive/2012/12/21/304969.html2012/12/21 9:10:12

缓冲层生长压力对mocvd gan性能的影响

子显微镜(sem)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,gan缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长gan岛间合并延迟.x射线衍射(xrd)和光发光谱(pl)测

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

l测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光发光

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

si衬底gan基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

采用镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光发光(pl)研究了转移的gan薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

图形蓝宝石基gan性能的研究

x射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光发光谱的

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光

  https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33

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