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明产品的 ce 安规要求、erp 要求及欧盟 reach，rohs，pahs 化学法规操作指南进行了详细阐
https://www.alighting.cn/news/2011712/n852633100.htm2011/7/12 13:14:20
为解决全国半导体照明行业专业技术人才紧缺的现状，天津工业大学电气工程与自动化学院，天津工业大学与国家半导体照明工程研发及产业联盟就共同建设“天津工业大学半导体照明行业职业资格认
https://www.alighting.cn/news/20111026/n384035230.htm2011/10/26 8:37:28
目前,能被紫外光有效激发的高效蓝光和绿光荧光粉种类较多。然而,无毒、无污染且化学性质稳定的高效红光荧光粉却极其缺少。这主要是因为常见的红光发光中心,如mn2 + 、pr3 +
https://www.alighting.cn/resource/20140807/124370.htm2014/8/7 10:50:58
oled与pled材料共同的特性为共轭的化学结构，具有高度的荧光效率，唯两者的分子量差异相当大，小分子材料其分子量一般约在数百，而高分子则在数万至数百万之间。就材料的取得而言，小
https://www.alighting.cn/2014/7/1 11:33:51
个是全世界范围“异国”名字，还有是咖啡因化学式这个特殊的知
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2009/12/20/21909.html2009/12/20 14:22:00
从2005年开始，这家总部设在德国慕尼黑市的化学集团在每年召开的科研大会上奖励在研究和开发方面取得优异成绩的员工。这一根据公司创始人命名，奖金为10,000欧元的
https://www.alighting.cn/news/2009714/V20195.htm2009/7/14 8:45:54
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
韩国首尔半导体（seoul semiconductor）2007年12月5日宣布，以该公司美国专利“us 5321713”受到日亚化学工业侵害为由，于12月4日向美国国际贸易委
https://www.alighting.cn/news/2007127/V13085.htm2007/12/7 11:51:34
外电8日报导，首尔半导体(seoul semiconductor)6日已向美国德州联邦法院递状控告日本led大厂日亚化学工业(nichia corp.)侵害其半导体技术专利，称
https://www.alighting.cn/news/20071116/V2720.htm2007/11/16 10:30:14
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
