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日本开发出使led发光效率提高1倍的gan晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的gan(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长gan单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

欧司朗暖白光led 光效刷新记录

数 (cri) 高达 81。这些数值均在标准条件下测得:室温下,采用脉冲模式,工作电流密度为 350 ma/mm

  https://www.alighting.cn/news/2011316/n767830733.htm2011/3/16 20:09:01

led封装工艺的最新发展和成果作概览

从芯片的演变历程中发现,各大led生产商在上游磊晶技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127971.htm2010/7/12 16:48:04

半导体照明用于植物组培获进展

光生物学研究,尤其是植物光生物学研究是热点。以前的研究主要依靠荧光灯和滤光片获得所需波长和光密度,无法准确定量控制,也无法按需任意设定定量参数组合,这制约了光生物学的深入研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20080229/128589.htm2008/2/29 0:00:00

具有发光奈米粒子之发光二极管

技术描述:奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state),因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中,或

  https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00

科锐推出低基面位错4h碳化硅外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

快充让锂电池保护元件化敌为友

锂电池是目前能量密度很高而且很轻的电池,但是由于化学特性非常活跃,所以本身因为有安全保护的需要,而增加充放电保护电路。充放电保护电路关键元件——mosfet也有一定比率的短路失

  https://www.alighting.cn/resource/20151116/134217.htm2015/11/16 11:33:26

基于红外阵列传感器的办公区域利用率检测

在提倡建设节约型社会的今天,建筑节能问题日益得到普遍关注,而降低新风及冷风负荷也就成为主要的节能措施之一。建筑室内人员密度是新风量及冷风量合理确定需要考虑的重点因素也是难点因素。

  https://www.alighting.cn/resource/20151202/134719.htm2015/12/2 10:56:16

5所大学针对uv-led封装都采用了什么招?

uv-led单个芯片面积小,便于灵活设计;但相应的是单个芯片的辐射功率也较低,在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求,这也是目前uv-led在众多领域很难替代uv放电灯的重要原

  https://www.alighting.cn/resource/20160120/136590.htm2016/1/20 14:08:46

防静电upe板

进口防静电upe板/棒,加工性能优异.具有良好的化学稳定性,可以抵抗大部份酸,碱,有机溶液以及热水的侵蚀.易焊接。密度低;韧性好;拉伸性好;吸水率低;水汽渗透率低;化学稳定性好;

  http://blog.alighting.cn/hjhsjclyxgs/archive/2010/6/21/51553.html2010/6/21 17:53:00

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