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该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步
https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28
文章分析了照明用半导体ｌｅｄ的外延、芯片及封装等相关技术，介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索，提出了一些具体的解决方案，并对ｌｅｄ的产业化生产进行了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29
4月1日，市城管执法局市政设施管理处维修人员对东风路堤岭桥上的组合灯进行拆除，全部进行改造。此次路灯改造主要对灯具托盘全部更换，焊接新托盘更换新球罩，对缺失的灯臂弯管重新制作焊接加
https://www.alighting.cn/news/201342/n792250292.htm2013/4/2 13:56:10
6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
https://www.alighting.cn/2015/1/5 12:12:11
芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。
https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
