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利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
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http://blog.alighting.cn/jnxtdq/archive/2010/6/14/50034.html2010/6/14 10:40:00
◎ 正向电压(vf)0.01v-20.00v； ◎ 正向电流(if)：0.1ma-400.0ma； ◎ 反向电流(ir)：0.01μa-200.0μa； ◎ 反
http://blog.alighting.cn/zsguihe/archive/2009/5/23/3596.html2009/5/23 21:24:00
能冲击锤两种。1) 单一型冲击能量 误差 f22.10 0.14j ±0.014j f22.11 0.20j ±0.020j f22.15 0.35j ±0.040jf22.17 0
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2009/2/21/2465.html2009/2/21 9:34:00
件的外壳承受机械冲击的能力，有单一能量冲击型 和万能冲击锤两种。 1) 单一型冲击能量 误差 f22.10 0.14j ±0.014j f22.11 0.20j ±0.020j
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2009/2/21/10686.html2009/2/21 9:18:00
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2012/12/26/305592.html2012/12/26 11:03:48
、反向电流，一机多用技术指标型号输出电压漏电流范围准确度测试时间lk2670a0～5kv(ac)0～220ma(ac)±（3%+3counts)1～99slk26720～5k
http://blog.alighting.cn/zsguihe/archive/2009/5/23/3562.html2009/5/23 20:28:00
方体 caco3含量 ％ ≥95 ≥98 干燥失重 ％ ≤1.0 ≤1.0 ph
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2009/11/17/19513.html2009/11/17 17:20:00
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
