检索首页
阿拉丁已为您找到约 760条相关结果 (用时 0.9574451 秒)

八月金秋,半导体行业将硕果累累

板计算机等行动装置的出货量,都出现成长停滞现象,进而影响到下半年半导体市场。由于电子产品的出货不如预期,近来台积电及联电都传出下修第3季晶圆出货量季增率的消息,台积电第3季晶圆

  http://blog.alighting.cn/heriver/archive/2011/7/18/230006.html2011/7/18 14:42:00

照明用led封装技术关键

性的控制有难度,导致了白光颜色的不均匀。②芯片光电参数配合:半导体工艺的特点,决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强) 和电学(如正向电压) 参数差异。rg

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00

led封装对光通量的强化原理

此增加光反射后的散射角度,进而使取光率提升。或如德国欧司朗(osram)使用SiC材料的基板,并将基板设计成斜面,也有助于增加反射,或加入银质、铝质的金属镜射层。▲亮度提升的le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

led生产工艺简介

张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00

inn材料的电学特性

晶圆膜厚度,得到优良的晶圆材料,但生长的速度较慢,对于较厚要求的晶圆生长耗时过长,不能满足大规模生产的要求。对于光电器件,特别是led、ld芯片,一般都采用用mocvd技术。这是因

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

rgb与白光led存亡之战

当的状态下,整体呈现的亮度与清晰度是荧光粉白光led的五倍,此 外,光衰减的问题,晶圆造价贵,也都是他看好rgb灯的一大主因。再者,rgb在应用上,明显比白光led来得多元,他举例,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229943.html2011/7/17 23:27:00

led芯片的制造工艺简介

led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

氮化镓衬底及其生产技术

体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如al2o3、SiC、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

led外延片(衬底材料)介绍

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

led晶圆技术的未来发展趋势

从led工作原理可知,晶圆材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于晶圆材料。晶圆技术与设备是 晶圆制造技术的关键所在,金属有机物化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

首页 上一页 51 52 53 54 55 56 57 58 下一页