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统的各项重要技术指针规格数据,供业界参考。 LEd芯片与封装组件发光效率关键技术指针部分,首要之LEd芯片与封装组件关键技术,欧美、日厂商均已量产突破发光效率100~12
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261388.html2012/1/8 20:27:24
撑终极“照明世界”具有更重要的战略意义，无疑已成为中国军团借机进军国际照明市场的“硬道理”。 hvLEd实际上是将传统dcLEd的cob封装结构直接在芯片级实现，减少了应用端封装固晶
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261374.html2012/1/8 20:22:30
积，metal-organic chemical vapor deposition)机台、上游LEd磊晶/晶粒、中游LEd封装，到下游系统模组，乃至于电子产品、照明灯具制造及本土品
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261373.html2012/1/8 20:22:27
脂做的底胶与白光胶与封装胶水封装出来的LEd白灯，单颗点亮在30度的环境下，一千小时后，衰减数据为光衰70%;如果用d类低衰胶水封装，在同样的老化环境下，千小时光衰为45%;如果c
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261371.html2012/1/8 20:22:20
等。 图3、泰科电子专为LEd照明防水防潮用的slimseal ssl连接器（ip67） 无焊接底座方便集成cree公司 xlamp多芯片封装LEd光源 泰科电子的无焊接LE
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261368.html2012/1/8 20:22:14
体LEd照明列入了中长期科技发展规划，现在已经形成外延片生产、芯片制备、封装集成、LEd应用的产业链。 在利好政策的推动下，国内LEd产业以井喷之势迅速发展。 南昌大学副校长江风
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261363.html2012/1/8 20:21:50
样，随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封装成ф5单灯器件，进行为96小时寿命试验，其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为，试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261361.html2012/1/8 20:21:43
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261360.html2012/1/8 20:21:41
容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散热顺畅性。 为了降低热阻抗，许多国外LEd厂商将LEd芯片设置在铜与陶瓷材料制成的散热器（hea
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261358.html2012/1/8 20:21:39
定的产品技术上创意才是有效的。与开关恒流方式比较六、LEd组合化封装是未来发展趋势模组的组合设计能有效的降低一次性封装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pc
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