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led产品质量分析与判断标准

d测试的研究，重点研究led发光特性、温度特性和光衰特性等测试方法，试图建立整套的led测试方法和技术标准，在led 测试方面已经走在了世界的前列。　　半导体发光二极管(led)因

http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/7/6/320560.html2013/7/6 16:01:20

led灯丝灯荧光粉涂层新技术

度发光，可实现立体光源。led灯丝灯与传统的led灯结构及光源形状不同，大角度发光且不需加装透镜和散热系统，非常契合人们的传统照明体验。另外，led灯丝灯的出现有利于突出led产

http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/6/20/353159.html2014/6/20 14:44:36

白光led存在的问题主要有哪些？

明光源，因而必须提高设计要求，保证设计的严谨性，进而控制好白光led的发光质量。2、光通量和发光效率有待提高，需设计大功率型芯片在发光效率方面，白光led与白炽灯相比效率较高，但是

http://blog.alighting.cn/207609/archive/2015/8/3/372816.html2015/8/3 10:24:14

探索自己的创新之路

业最权威的光电协会如此评价。这主要是因为路明集团拥有半导体照明产业的两大核心技术：半导体照明的芯片技术和发光材料技术。　　其核心技术之一是发光材料，集团创始人肖志国1992

http://blog.alighting.cn/1183/archive/2007/11/26/8041.html2007/11/26 19:28:00

led主要参数与特性

led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：i-v特性、c-v特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

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