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垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构LED技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

诚创预计将于2008年q2与LED台厂合资封装厂

华映(2475)旗下诚创(3536)于2008年q2可望敲定与LED台厂合资兴建LED封装厂的细节,计划取得自用需求的2成到3成,减少外购芯片成本。

  https://www.alighting.cn/news/20080505/94017.htm2008/5/5 0:00:00

三星公布的7款消费LED灯泡产品 售价低于20美元

三星家用电气高级副总裁凯文?德克斯特(kevin dexter)发表声明称:“照明灯泡已经超越了照明意义。该产品是三星所熟悉的集LED芯片、驱动器和电子等于一体的数字技术。三

  https://www.alighting.cn/pingce/20111122/122734.htm2011/11/22 10:27:39

四十八研究所:mocvd设备国产化难

最近LED界mocvd设备国产化之说四起,为了解mocvd国产化之路的难度,特找到了中国电子科技集团公司第四十八研究所08-4的简报,以飨读者。

  https://www.alighting.cn/news/20101101/94568.htm2010/11/1 12:00:55

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