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LED照明设备非接触供电技术的探讨

本文阐述了非接触供电技术的结构和原理,并把该技术引入LED 照明设备为其供电,并例举采用非接触供电技术的LED 标志牌和矿灯。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/10/18/1607_36.htm2011/10/18 16:00:07

bruker 完成对center for tribology的收购

bruker公司宣布其已完成现金收购center for tribology公司(cetr),初始收购价格为1300万美元,同时还包含高达400万美元潜在额外支付,这主要取决于20

  https://www.alighting.cn/news/20111018/114644.htm2011/10/18 15:37:26

世博会场馆LED媒体界面设计手法与发展趋势

通过对中国2010上海世博会场馆LED媒体界面构成特点的分析,本文探讨了媒体界面设计过程中的像素形成方式及空间化、多层次、多维度的发展趋势。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/10/18/15284_25.htm2011/10/18 15:28:04

LED产业发展好,就会产生爆发性的回报?

LED企业发展得好,就会产生爆炸性的回报。”莆田市政协主席杨鹏飞早在2008年就大力呼吁重视中科万邦等LED生产企业的发展,他说,“面对企业研发和发展之初的高额投入,首先希望国

  https://www.alighting.cn/news/20111018/89964.htm2011/10/18 14:49:21

LED静电专业知识问题解答汇总

什么是LED静电?LED在使用过程中变暗或者死灯,是静电导致的吗?LED的抗静电能力取决于哪些方面?用什么方式评估测试LED的抗静电能力?如何有效提高LED抗静电能力?有哪些防

  https://www.alighting.cn/resource/2011/10/18/144825_19.htm2011/10/18 14:48:25

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

LED在隧道照明设计中的应用

本文以山西省燕家岭隧道照明工程为背景,根据《公路隧道通风照明设计规范》jtj 026.1-1999的标准要求,对其照明系统进行改造,即将原来照明系统中的高压钠灯换做LED照明。文

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127010.htm2011/10/18 13:34:41

LED照明国际赛局已开打,南韩将成最大威胁

南韩LED封装模组产值已于2010年首度超越台湾,大陆LED产业也急起直追,业界认为,南韩将是台厂最大的对手,但大陆也逐渐降低对台厂的技术依赖,台湾的优势将不超过2年,由于台湾过

  https://www.alighting.cn/news/20111018/90053.htm2011/10/18 11:54:07

首尔半导体(LED灯)扮亮古罗马广场夜空

半导体近日宣布,其为罗马最重要的考古遗址之一——古罗马广场的景观照明安装上了LED灯。  首尔半导体此次为古罗马广场项目提供的是z-power系列产品,该系列产品在可靠性、效

  http://blog.alighting.cn/92010/archive/2011/10/18/245039.html2011/10/18 11:52:27

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