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、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114812.html2010/11/17 22:48:00
r lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
韩国—GaN半导体开发计划 欧洲—彩虹计划 中国—国家半导体照明工程 由于led的光源特性、特殊的产品设计以及高效率驱动电路,而且在光学设计方面,led是单向
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179091.html2011/5/17 16:25:00
道，维持向上格局。ims research的预估，2011年GaN led出货量将达620亿颗，总产值则由2010年的80亿美元跃升至108亿美元，首次突破百亿大关。 led
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极管(lightemittingdiode，简写为led)是基于半导体pn结形
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221772.html2011/6/18 20:17:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和GaN 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，大陆芯片已经通
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31
2年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，国内芯片已
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24
界范围内GaN基led产业发展来看，前五大公司美国cree,德国osram，荷兰philips，日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%～90%的原创性发明专
http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52
