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述了自己的观点。 南通同方半导体副总经理李鹏飞介绍了目前整个led外延片、芯片技术发展技术。在谈到同方半导体led芯片的发展状况时，李鹏飞表示目前同方有北京和南通两大工厂，主做le
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317947.html2013/5/25 12:53:27
在浪潮华光重点展出的“半导体照明用高亮度蓝光led外延材料和管芯研制”项目产品中，路灯用蓝光大功率led芯片封装后的白光光效达到130lm/w以上，是真正可以替代进口的国产化芯
https://www.alighting.cn/pingce/20130524/122092.htm2013/5/24 13:26:13
浪潮华光以“半导体照明用高亮度蓝光led外延材料和管芯研制”项目为主题，携公司高端led外延片、芯片全系产品亮相科博会，全面展示了公司自主创新产品和技术研发重大成果，成为科博
https://www.alighting.cn/news/2013524/n926152075.htm2013/5/24 13:23:11
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
0亿元。目前led照明产业覆盖包括外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链。”另有数据显示，2012年，led在照明领域的应用保持了40%的增长率，照明应用占led应用的28%。
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/5/22/317741.html2013/5/22 14:24:33
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
d的产业链很长，涉及面宽，应用非常广泛。不能轻易地说整个产业产能过剩，当前从投资的情况来看，的确出现了上游外延设备购置数量多、针对通用照明的技术能力跟不上等问题，因此发展过程中出
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/21/317638.html2013/5/21 9:46:14
年的制备实践经验及研发资历，是多项led专利技术的发明人。对于产能过剩的说法，林振贤认为由于政府补贴导致各种热钱涌入，目前出现了上游led外延和芯片企业发展过快的问题，“现在是一次性
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/21/317628.html2013/5/21 9:35:46
