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led用蓝宝石晶体衬底激光划片工艺

本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20

功率型白光led光学特性退化分析

GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led),对其施加900ma的电流应力,在老化过程中测量白光led的主要光学参数,考察其光学特

  https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30

高亮度led的发展及应用

源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led,GaN基蓝、绿、紫和紫外线le

  https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03

2012年mocvd出货量将下降至342套

市场研究机构ims预测2012年GaN基mocvd的出货量将从2011年的654套降至342套,下降幅度达48%。当前正处谷底,预计今年二季度中后期会有缓慢的回升,该预测是基于

  https://www.alighting.cn/news/20120327/89383.htm2012/3/27 15:41:55

报告:led产能急速扩张 厂商盈利面临考验

最新报告显示,2010年第三季生产GaN led的金属有机化学气相沉积(mocvd)设备出货量又创新高,同时在2011和2012年供给增长将进一步超过需求成长的预期下,led过

  https://www.alighting.cn/news/20110308/90910.htm2011/3/8 13:50:08

东芝与普瑞光电合作制造出8英寸矽衬底led芯片

虽然东芝和普瑞光电合作仅数月,他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN,所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v,电流为350ma的情况下该芯片功耗为61

  https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52

三星电机再订aixtron 两台mocvd系统

2007年4月11日,aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led,两台工具

  https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00

上海蓝光开启第五轮购买axitron mocvd计划

据aixtron报道,昨日宣布收到来自上海蓝光新的mocvd设备订单,四套配置是crius® 31x2英寸 mocvd,用于生产高亮GaN led。据悉,这是上海蓝光在今

  https://www.alighting.cn/news/20100826/117401.htm2010/8/26 0:00:00

日亚化学开发出488nm振荡波长的激光器

日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件,08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中,发光波长最长。

  https://www.alighting.cn/news/20080125/118964.htm2008/1/25 0:00:00

同方选中aixtron mocvd欲扩大高亮led产量

近日,aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统,这是在年初下的订单,已在今年q3完成交付。据了解,设备用来生产GaN超亮蓝光led的生

  https://www.alighting.cn/news/20101014/119693.htm2010/10/14 0:00:00

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