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介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
由 “十一五”国家863计划新材料领域项目支持，中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物led材料及芯片关键技术”创新团队项目课题近日顺利通过验收。
https://www.alighting.cn/news/201296/n569243150.htm2012/9/6 10:44:40
业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有gan基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
等，将是未来营运成长重点领域，由于非一般照明毛利率明显优于大宗照明市场，宏齐转攻利基型应用，摆脱竞争局
https://www.alighting.cn/news/20140227/111658.htm2014/2/27 10:26:48
京基百纳下沙商业项目简介福田区下沙旧改项目地块位于深圳市福田区西南端滨海的下沙片区，北临滨河路，与车公庙工业区隔路相望，西侧为东涌路，隔东涌路为花好园及下沙村，东侧为上沙创新科技
http://blog.alighting.cn/winfox/archive/2013/6/18/319372.html2013/6/18 18:57:27
采用440nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led，研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
导读： 效率下降是阻碍gan基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/2014/3/7/155345_18.htm2014/3/7 15:53:45
