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光量子效率越高.由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近pn结面数μm以内产生. 图1-1 led的发光原理 1.3 led的特点和分类 1.3.1 led的特点 led和普
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
薄型可弯曲的 led 背光技术最多可比标准背光技术薄达 88%，而且成本比标准背光技术便宜达 80%律美公司宣佈将向全球推出量子光 (quantumbrite) 可弯曲 le
https://www.alighting.cn/news/20101117/95033.htm2010/11/17 0:00:00
减，一个原因是材料内缺陷的增殖。众所周知，现代的高亮led器件通常都采用mocvd技术在gaas、蓝宝石等异质衬底上外延生长ingaalp或InGaN等材料制成，为提高发光效率，外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109143.html2010/10/20 17:15:00
德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors gmbh)开发出了新型led结构「ux:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝色led等gan类led的外部量
https://www.alighting.cn/news/20101014/105146.htm2010/10/14 0:00:00
显的改善。绿粉(铝酸盐居多)，因一般绿粉的量子效率只有80%，故主要是关于提高发光效率的研究。以(ce、tb)mgal11o19为例，通过改变组分使ce3+的发射(360nm)与tb
http://blog.alighting.cn/cibsdu/archive/2010/10/9/103418.html2010/10/9 11:45:00
”生产白光led技术目前有三种：一种，利用三基色原理和目前已能生产的红、绿、蓝三种超高亮度led按光强1:2:0.38比例混合而成白色，二种，利用超高度InGaN蓝色led，其管
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98265.html2010/9/19 21:39:00
相使用对方三五族半导体发光二极管led的技术专利，其中包含蓝光InGaN(氮化铟镓)led与四元algainp(磷化铝镓铟)led的技术。未来晶电及广镓(8199)均可以使用丰田合
https://www.alighting.cn/news/20100917/104648.htm2010/9/17 0:00:00
求。vlhw4100使用超亮InGaN技术，在20ma电流下的发光强度为4500mcd至11250mc
https://www.alighting.cn/pingce/20100902/122989.htm2010/9/2 11:37:07
日前，vishay 宣布，推出一款新型白光、无散射的3mm led--vlhw4100,该led针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。
https://www.alighting.cn/news/201092/V25031.htm2010/9/2 10:22:20
撞。 中国led业的现状 会上，深圳市量子光电子有限公司总经理刘镇做了题为《中国led技术和产业发展趋势》的演讲。刘总指出中国led产业从业人员约50余万人，led器件产
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/8/30/93833.html2010/8/30 13:07:00
