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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
域校准方法。另外,为了避免led一致性差异和环境温度变化及工作时间对led主波长和色品坐标造成的影响,提出利用一组xyz色度传感器实时测量并反馈三基色led色品坐标的方法。该方法通过
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127110.htm2011/9/20 13:45:18
对gainp2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当gainp2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,ⅴ/ⅲ为180～220时,获得了满足级联电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明in组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
且开关电源中控制电路比较复杂，晶体管和集成器件耐受电、热冲击的能力较差。因此驱动电源的可靠性影响了led应用产品的寿命，为了保护开关电源自身和负载的安全，延长使用寿命，必须设计安
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127229.htm2011/8/30 14:42:04
采用有限元法来模拟研究采用透明电极algainp led出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率，对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127306.htm2011/8/16 11:59:32
使显示屏在白天与晚上点亮时调整需要的亮度，且亮度调节时也不影响灰度，正可达到省电减排的目的
https://www.alighting.cn/news/2011328/n175830880.htm2011/3/28 19:03:44
