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中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破，研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延
https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00
imec（interuniversity microelectronics centre，欧洲微电子研究中心）近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化镓工业联盟计划（iia
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
由 “十一五”国家863计划新材料领域项目支持，中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物led材料及芯片关键技术”创新团队项目课题近日顺利通过验收。
https://www.alighting.cn/news/201296/n569243150.htm2012/9/6 10:44:40
GaN基高压交流110v-led芯片，为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37
GaN led市场中，照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%；照明led收入预计增长超过300%。
https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47
日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶，成功采用该结晶实现了led的发光。
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21611.htm2009/11/8 15:51:41
业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文，试制出利用GaN系半导体的红光led组件。藤原康文教授介绍，利用GaN系半导体的蓝光led组件及绿色led组件现已达
https://www.alighting.cn/news/20090708/93786.htm2009/7/8 0:00:00
