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芯片大小和电极位置对ganLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

gan功率LED电应力老化早期的退化特性

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900ma电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24小时隧穿电流最小,绿光LED到6小时隧穿电流最小。

  https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34

普瑞光推电晶圆计划 称成本有望下降75%

普瑞光电将考虑开始在芯片上做LED,预计可以降低75%的制造成本,而且做出更有效能的照明设备。为此普瑞光电将展开为期3年的计划,完成后将会配合其他公司所生产的灯泡上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110311/115808.htm2011/3/11 10:19:18

华兴布局立市场,被外资看好并以涨停作收

因布局立市场,华兴电子(6164)被外资摩根士丹利认为最具抗景气寒冬能力的LED厂,受此激励,12月30日股价以涨停板作收。

  https://www.alighting.cn/news/20081231/96737.htm2008/12/31 0:00:00

氧化铝及LED集成封装板材料的热阻比较分析

板的选择中,氧化铝(al2o3)及(si)都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而是优良导热体,但绝缘性不

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16

LED蓝宝石板缺陷检测

高亮度 LED 制造如今是否应该更加重视工艺控制?如果答案是肯定的,那么我们该从传统的集成电路制造中学到什么经验?

  https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06

衬底LED芯片主要制造工艺

1993年世界上第一只gan蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的ganLED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

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