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发光层掺杂蓝色oled的光电性能研究

采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(oled),其结构为ito/cupc(30 nm)/npb(40 nm)/tpbi(30 n

  https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17

掌握好与发光效率的平衡

白色led的“成本竞争力”、高温下性能不会降低的“温度稳定性”、可用于照明的高“显色指数”、白色led产品间的色调“均匀性”、单位封装可输出的“光通量的大小”。所有这些项目与发

  https://www.alighting.cn/resource/20110628/127490.htm2011/6/28 10:21:07

长沙市民研制出发光芯片 寿命增20倍

公园、街道甚至家庭所使用的照明灯采用“发光芯片”,这种被称为千子led小太阳照明灯的新型照明工具已经在长沙研制成功。

  https://www.alighting.cn/news/200991/V20759.htm2009/9/1 9:11:23

uiv oled照明光源特点简述,了解不一样的光

oled(orGaNic light-emitting diode),有机发光二极。与led材料不同,oled是面光源,柔软、轻薄、能耗低、发热少、无蓝害、接近自然光。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190321/160952.htm2019/3/21 9:58:01

oled器件制作的关键步骤(图)

作为阳极的ito表面状态好坏直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。

  https://www.alighting.cn/resource/200822/V14003.htm2008/2/2 11:35:54

oled器件制作的关键步骤(图)

作为阳极的ito 表面状态好坏直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。

  https://www.alighting.cn/news/200822/V14003.htm2008/2/2 11:35:54

探秘:硅上氮化镓(GaN)led

硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

紫光led晶片将成未来led照明研究重点

上世纪末,半导体照明开始出现并快速发展,其中一个核心前提是蓝光GaN发光材料的生长和器件结构的制备,而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就GaN基材料

  https://www.alighting.cn/news/2014729/n156664358.htm2014/7/29 10:18:51

GaN衬底技术的新进展及应用

GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38

美国:推出超薄发光led软片,可应用在医学等领域

5微米,远远小于目前市场化的任何发光二极

  https://www.alighting.cn/news/20101022/119511.htm2010/10/22 0:00:00

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