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为eg=1.9 ev（红色）至eg=3.0 ev（紫色）。一般而言led材料的内部量子效率为10%～15%，其损失来自晶体缺陷与错位等材料缺点。led晶片中的光子辐射仅是制造使
http://blog.alighting.cn/1173/archive/2007/11/26/8570.html2007/11/26 19:28:00
国内、外纳米钛白粉（纳米二氧化钛）的应用研究 纳米钛白粉（纳米二氧化钛）自20世纪80年代问世以来，因其颗粒细小、比表面积大而具有常规材料所不具备的特殊效应，如量子效应、隧
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2009/11/17/19520.html2009/11/17 17:23:00
晶（型号vk-ta18）太阳能电池的光电转化效率提高了5～14％。可作为电极广泛应用于太阳能领域。” 彩虹集团公司申请的专利“量子点敏化太阳能电池电极及其制备方法
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2009/11/17/19527.html2009/11/17 17:26:00
在绿色基金开闸之际,业界不乏清醒审视者。量子光电总经理刘镇提醒本报记者留意,中国led企业缺乏核心专利,侵犯国际led五大厂知识产权的案例极为普遍,他认为绿色基金一部分应作为投
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/1/39243.html2010/4/1 14:23:00
镓（ingan ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型gan薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
耗瓦数以顺向导通电压乘以顺向导通电流（vf×if，f＝forward）求得。#nv$_2mrlx/~0 u_ f f y a&z0 裸晶层：「量子井、多量子
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119315.html2010/12/9 14:24:00
长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率，可降低成本，降低包装及电路的控制难度；但技术难度相对较大。7.开发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
致串联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电极制备技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
外乎是单层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
