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垒和保证封装产品的一致性、均匀性奠定坚实的基础;3、采用InGaN/algan/gan多层缓冲层技术,设计外延缓变应力型,量子阱结构,极大的提升芯片应用的稳定性和寿命;4、首次采
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/8/20/91728.html2010/8/20 21:10:00
中，真正发光的也仅是其中的几百纳米（1微米＝1000纳米）厚的量子阱结构。 反应式： ga(ch3)3 +ph3= gap+3ch
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
半导体元件内部的温度。在led中是指芯片内发光层(pn结间设置多重量子阱构造的位置)的温度。led芯片的发光层在点亮时温度会上升。一般情况下，接合温度越高，发光效率就越低。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128313.htm2010/8/17 16:54:18
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以InGaN等gan类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38
据了解，这种芯片是目前led小灯珠全串联最优方案，能够最大程度提升电源的效率和可靠性，并使led驱动电源行业制造实现统一标准成为可能。
https://www.alighting.cn/news/20100811/117142.htm2010/8/11 9:39:54
日前，问天量子科技有限公司在安徽芜湖高新技术产业区成功研制出全球首款零功耗led保护芯片，标誌着一直困扰led照明行业的模组化连接方式正式得到解决。
https://www.alighting.cn/news/20100806/105549.htm2010/8/6 0:00:00
由问天量子科技有限公司自主研制的国际首款零功耗led保护芯片,近日在安徽芜湖高新技术产业区研制成功,并实现了成果转化。这标志着一直困扰led照明行业的模组化连接方式正式得到解决。
https://www.alighting.cn/pingce/20100805/123014.htm2010/8/5 10:46:00
https://www.alighting.cn/news/20100805/105426.htm2010/8/5 0:00:00
一、 led用红色荧光粉研究现状 1、硫化物体系 碱土金属硫化物体系是一类重要的发光基质材料。eu2+激活的cas或srs可有效被蓝光激发而发射红光，可用作InGaN蓝光芯片的
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/8/2/64436.html2010/8/2 9:55:00
