站内搜索
、交通和其他应用领域,这类可读性十分重要。电致发光显示器采用了极黑的、非反射的电极结构,即使在强环境光条件下,以相对较低的功率,仍能保持高的对比度。对于在夜间工作需要降低亮度的应
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00
同程度的威胁。为保持lcd显示技术现有的竞争优势,各厂商已投入大量研发力量,力求提升传统lcd的显示效率和质量。在lcd技术发展中,新型背光技术的作用日益显著,对于lcd整体结构以
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
之而来的是各种结构的量子阱光电器件很快从实验室进入商用化。金属有机化学汽相淀积(mocvd)是在汽相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用ⅲ族、ⅱ族元
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
它生长速率很快(一分钟一微米以上),不能生长量子阱、超晶格等结构材料,在八十年代被mocvd、mbe等技术淘汰。然而,恰是由于它生长速率快,可以生长氮化镓衬底,这种技术又在“死灰复燃
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
制的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
要取决于以下九个方面：• [1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度孝结晶性能好、缺陷密度小；• [2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强；• [3
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
源,高强度气体放电灯是第三代光源(hid)。如今在照明界具有广阔的发展前景的led光源被称为第四代光源。led作为新颖的半导体光源,具有寿命长、发光效率高、功耗低、启动时间短、结构牢固
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
加上照明用led制造成本的大幅下降,所以照明用白光led已具备应用到一些照明领域的商用条件。但是,由于我国从计划经济时代以来很多年的产业结构分布所造成的局面,使得目前制造照明led的产
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00
成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan晶圆层的生长,此时生长的gan晶圆层悬空于沟槽上方,是在原gan晶圆层侧壁的横向晶圆生长。采用这种方法,不需要掩膜,因
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
