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【论LED】LED的冬天就要来了,你准备好过冬了吗?

【论LED】LED的冬天就要来了,你准备好过冬了吗?——写在2012年香港秋季灯饰展之前的话今天是教师节,想起当年在学校读书时的我们,每当要参加重要的考试都是异常地紧张,而一旦考

  http://blog.alighting.cn/122599/archive/2012/9/10/289608.html2012/9/10 23:59:02

法兰克福展上谈LED绿色照明(图)

 2008年4月6日-11日,两年一届的法兰克福国际灯光照明及建筑物技术与设备展览会在德国法兰克福拉开帷幕。在4月8号举行的中国资讯日会议上,中国建筑科学研究院建筑光学研究室主任李

  http://blog.alighting.cn/1016/archive/2008/4/15/8823.html2008/4/15 9:32:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

usb2000+rad分光辐射度计*长春博盛量子

们最快光谱仪的同时也提供了高达0.35nm(fwhm)的分辨率。当通过usb2.0接口与计算机连接时,usb2000+rad支持用户在每毫秒内抓取一幅完整的光谱且保存于内存中(相当

  http://blog.alighting.cn/bosheng987/archive/2010/4/10/39798.html2010/4/10 10:31:00

cob封装的优劣势

来自广州市鸿利光电股份有限公司的李泽锋整理的关于《cob封装的优劣势》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:41:11

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