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si衬底ganled外延薄膜转移至金属板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

氮化物led光效下降 非直接俄歇效应是主因

led光衰(led droop)是由俄歇复合(auger recombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的,三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包

  https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25

晶科电子将携最新无金线陶瓷光源产品亮相上海

晶科电子“e系列”产品是于apt专技术—倒装焊接技术,实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装,具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。

  https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07

晶能硅谷展示全球唯一量产硅大功率led芯片

2012年7月10至12日半导体产业最大的展览会—美西半导体设备暨材料展(semicon west)在美国硅谷举行。晶能光电有限公司首席技术官(cto)赵汉民博士应邀出席“新一代高

  https://www.alighting.cn/news/2012719/n192741430.htm2012/7/19 11:40:22

gan 功率型led芯片散热性能测试与分析

与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36

蓝宝石led外延片背减薄与抛光工艺研究

目前在蓝光led的制备中,通常采用异质外延的方法生长氮化镓材料。在商品化的led中,绝大部分采用蓝宝石作为外延生长的衬底材料。

  https://www.alighting.cn/news/20091023/V21323.htm2009/10/23 17:36:07

氮化镓半导体照明led及其应用产业化

文章分析了照明用半导体led的外延、芯片及封装等相关技术,介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索,提出了一些具体的解决方案,并对led的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

同欣开led散热版获国际大厂采用

近期led背光源应用受瞩目,而台湾小型封测厂同欣用陶瓷板相关镀膜技术,成功开发出高亮度led散热板。

  https://www.alighting.cn/news/20080304/92722.htm2008/3/4 0:00:00

科锐sic超大功率xhp led pk 前代led

科锐(nasdaq: cree)于日前正式商业化量产基于sc5技术平台的超大功率xlamp xhp50 led器件和xlamp xhp70 led器件。科锐开创性的技术将帮助推动新

  https://www.alighting.cn/news/20150112/110289.htm2015/1/12 10:47:18

晶能光电在硅谷展示全球唯一量产的硅大功率led芯片

晶能光电有限公司首席技术官(cto)赵汉民博士应邀出席“新一代高亮led峰会”并发表演讲,介绍了晶能光电最近实现量产的硅衬底大功率led芯片的最新成果,引起业界高度的关注。

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113356.htm2012/7/18 17:38:49

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