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料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发
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用两步工艺生长gan外延片层。然后对外延片膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长,此时生长的ga
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剧下降,所以系统结构设计及散热技术开发也是led应用需面对的课题。由于强制空气冷却通常在光源中是不可取的,所以随着输入电功率的提高,散热片和其它增强自然对流冷却的方法就在 led
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同程度的威胁。为保持lcd显示技术现有的竞争优势,各厂商已投入大量研发力量,力求提升传统lcd的显示效率和质量。在lcd技术发展中,新型背光技术的作用日益显著,对于lcd整体结构以
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积
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d的结构示意图：sed的结构示意图前玻璃基板上涂有红、绿、蓝三色荧光粉,并作为阳极相对后玻璃基板加有几千伏的高压。通过丝网印刷法在后玻璃基板上制作对应每个像素的金属电极,并用喷墨印
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、交通和其他应用领域,这类可读性十分重要。电致发光显示器采用了极黑的、非反射的电极结构,即使在强环境光条件下,以相对较低的功率,仍能保持高的对比度。对于在夜间工作需要降低亮度的应
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之而来的是各种结构的量子阱光电器件很快从实验室进入商用化。金属有机化学汽相淀积(mocvd)是在汽相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用ⅲ族、ⅱ族元
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它生长速率很快(一分钟一微米以上),不能生长量子阱、超晶格等结构材料,在八十年代被mocvd、mbe等技术淘汰。然而,恰是由于它生长速率快,可以生长氮化镓衬底,这种技术又在“死灰复燃
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