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辉（＜0.1μsec）特性和亮度特性。后来，在70年代被应用在高压汞灯中，主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后，该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料，由于在led器件中
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
ｄ进程更是产业界研发的主流方向。 ３、产品封装结构类型 自上世纪90年代以来，ｌｅｄ芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
上厂家生产的外延片和芯片的技术性能大多为中低档，一直停留在上一世纪90年代初期（1994年）的带有布拉格反射器的gaas衬底结构，如图1所示,这种结构的发光效率一般仅为10lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
场前景也非常可观。led用荧光粉尚待创新 近年来，在照明领域最引人关注的事件是半导体照明的兴起。20世纪90年代中期，日本日亚化学公司的nakamura等人经过不懈努力，突破了制
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
源芯片最大输出电流多定义为单路最大输出电流，一般90 ma左右。电流恒定是专用芯片的基本特性，也是得到高画质的基础。而每个通道同时输出恒定电流的最大值(即最大恒定输出电流)对显示
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
#176;～90＆#176;或更大，散射剂的量较大。3． 按发光二极管的结构分 按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。4． 按发光强
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使led极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于led芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射係数，致使芯片内部产生的极大部分光子（90
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
密规则排放，其发光球面相互叠加，导致整个发光平面发光强度分佈比较均匀。 在计算萤幕发光强度时，需根据led视角和led的排放密度，将厂商提供的最大点发光强度值乘以30％～90％不
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
、非洲和欧洲等国家和地区的专业登记观众达6000(2007年为50431)位，比上届增长了16％。其中来自海外参观者占了60％，可见其影响力之大。据组委会对参展商的调查，其中90
http://blog.alighting.cn/wxhald/archive/2010/12/15/121097.html2010/12/15 16:23:00
国的展商70家，参展面积1051平方米，在上届展会的基础上增长了90.7％。其中近40％的展商已明确表示希望在2009年的interzum展会中预留面积。很多中国展商表
http://blog.alighting.cn/wxhald/archive/2010/12/15/121127.html2010/12/15 16:50:00
