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氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

浅析led灯具向室内照明发展的技术要求

是芯片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化等新

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24

韩国研究中心选择veeco mocvd用于led技术研研发

veeco公司(veeco)今日宣布,韩国的led –it 融合技术研发中心(liftrc)近日选择了turbodisc? k465i?氮化金属有机化学气相沉积系统(mocv

  https://www.alighting.cn/news/2012416/n168738871.htm2012/4/16 9:17:37

led知识大全

led光谱晶片,什么是led晶片?  一、led晶片的作用:  led晶片为led的主要原材料,led主要依靠晶片来发光。  二、led晶片的组成  主要有砷(as)铝(al)

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271820.html2012/4/10 23:38:15

led知识概述

所使用的材料是砷(as)化(ga),其正向pn结压降(vf,可以理解为点亮或工作电压)为1.424v,发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化(ga),其正向p

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

哪些指标决定了灯具的优劣

率,通常采用铝膜,而铝本身很容易因为长期暴露在空气中而被氧化,形成不反光的氧化铝层;同时为了使镀膜能够与反射碗金属基底贴合牢固,通常都采用高分子材料来做基础。高分子材料受到紫外光的照射

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271720.html2012/4/10 23:24:15

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271716.html2012/4/10 23:24:02

从散热技术探讨led路灯光衰问题

护,或是加喷烤漆,以避免酸碱物质的侵蚀。阳极处理的寿命不长,时日稍久还是会氧化变色,如果要拆下重工,不但耗时耗工也会增加维护成本;烤漆保护成本较低,保护的功效也好,但是一般烤漆没有散

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271710.html2012/4/10 23:23:39

led照明是最具发展前景的照明产业

明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域:一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化材料、ole

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271692.html2012/4/10 23:22:26

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